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參數(shù)資料
| 型號： | IRFP360 |
| 廠商： | HARRIS SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 23A, 400V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| 中文描述： | 23 A, 400 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | IRFP360 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFP360LC | Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A) |
| IRFP3710 | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025W, Id=57A) |
| IRFP4232PBF | PDP MOSFET |
| IRFP4242PBF | PDP MOSFET |
| IRFP440 | Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.8A) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFP360LC | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP360LCPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP360PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 23 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFP360PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRFP362 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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