參數(shù)資料
型號： IRFP350
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d為400V，的Rds（on）\u003d 0.30ohm，身份證\u003d 16A條）
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 333K
代理商： IRFP350
IRFP350LC
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
1000
2000
3000
4000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
20
40
60
80
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 320V
V = 200V
V = 80V
I = 16A
0.1
1
10
100
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
1
10
100
1000
1
10
100
1000
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
T = 25°C
T = 150°C
Single Pulse
10μs
100μs
1ms
10ms
A
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PDF描述
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IRFP350LCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LCPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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