參數(shù)資料
型號： IRFP350
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： N-CHANNEL POWER MOSFETS
中文描述： N溝道功率MOSFET
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 333K
代理商： IRFP350
IRFP350LC
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
10 V
10 V
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (°C)
E
A
A
I
TOP 7.2A
10A
BOTTOM 16A
D
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP350 16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP350 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)
IRFP360 Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
IRFP360 23A, 400V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFP360LC Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFP350A 功能描述:MOSFET 400V N-Channel A-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350FI 功能描述:MOSFET REORDER 620-IRFP350 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LC 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LCPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 16 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFP350LCPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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