參數(shù)資料
型號(hào)： IRFP340
廠(chǎng)商： INTERSIL CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 11A, 400V, 0.550 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(11A, 400V, 0.550 Ohm,N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： 11 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247
文件頁(yè)數(shù)： 5/7頁(yè)
文件大小： 57K
代理商： IRFP340
4-333
FIGURE 10. NORMALIZED DRAIN TO SOURCE BREAKDOWN
VOLTAGE vs JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 11. CAPACITANCE vs DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
FIGURE 12. TRANSCONDUCTANCE vs DRAIN CURRENT
FIGURE 13. SOURCE TO DRAIN DIODE VOLTAGE
FIGURE 14. GATE TO SOURCE VOLTAGE vs GATE CHARGE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
1.25
1.05
0.85
60
-60
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
N
1.15
0.95
0.75
-20
20
100
B
0
-40
40
80
120 140
I
D
= 250
μ
A
160
1
10
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
2500
2000
1500
1000
500
0
C
ISS
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
≈
C
DS
+ C
GS
10
2
10
3
C
OSS
C
RSS
I
D
, DRAIN CURRENT (A)
4
8
12
16
0
20
15
12
9
0
6
g
f
,
3
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V
DS
≥
50V
I
S
,
V
SD
, SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
100
1
0.1
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
T
J
= 25
o
C
T
J
= 150
o
C
10
PULSE DURATION = 80
μ
s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
12
24
36
48
0
60
4
20
8
V
G
,
16
I
D
= 10A
V
DS
= 80V
12
0
V
DS
= 320V
V
DS
= 200V
IRFP340
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFP360 N-Channel EnhancementMode MegaMOSFET(最大漏源擊穿電壓400V,導(dǎo)通電阻0.20Ω的N溝道增強(qiáng)型MegaMOSFET)
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參數(shù)描述
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