- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360942 > IRFMG50D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFMG50D |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 1KV交五（巴西）直| 5.6AI（四）|對254VAR |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 475K |
| 代理商： | IRFMG50D |
IRFMG40
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
0
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
1
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFMG50U | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR |
| IRFN044SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):34A,Rds(on):0.040Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:60V,Id(cont):34A,Rds(on):0.040Ω)) |
| IRFN044 | POWER MOSFET N-CHANNEL(BVdss=60V, Rds(on)=0.040ohm, Id=44A) |
| IRFN044SMD | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| IRFN054SMD | N-Channel Power MOSFET(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)(N溝道功率MOS場效應(yīng)管(Vdss:60V,Id(cont):45A,Rds(on):0.027Ω)) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFMG50SCV | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3PIN TO-254AA - Bulk |
| IRFMG50SCX | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 1KV 5.6A 3PIN TO-254AA - Bulk |
| IRFMG50U | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 5.6A I(D) | TO-254VAR |
| IRFMJ044 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:POWER MOSFET SURFACE MOUNT (D3 PAK) |
| IRFML8244PBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Load/ System Switch |
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