參數(shù)資料
型號(hào): IRFL214
廠商: VISHAY SILICONIX
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SOT-223, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù): 8/9頁(yè)
文件大?。?/td> 925K
代理商: IRFL214
Document Number: 91363
www.vishay.com
Revision: 15-Sep-08
1
Package Information
Vishay Siliconix
SOT-223 (HIGH VOLTAGE)
Notes
1. Dimensioning and tolerancing per ASME Y14.5M-1994.
2. Dimensions are shown in millimeters (inches).
3. Dimension do not include mold flash.
4. Outline conforms to JEDEC outline TO-261AA.
D
B
3
B1
0.10 (0.004) M C
M
H
0.10 (0.004) M C B M
0.20 (0.008) M C A M
0.10 (0.004) M C B M
3 x B
e1
e
1
2
3
A
E
4
C
A
0.08 (0.003)
θ
4 x L
L1
4 x C
3
MILLIMETERS
INCHES
DIM.
MIN.
MAX.
MIN.
MAX.
A
1.55
1.80
0.061
0.071
B
0.65
0.85
0.026
0.033
B1
2.95
3.15
0.116
0.124
C
0.25
0.35
0.010
0.014
D
6.30
6.70
0.248
0.264
E
3.30
3.70
0.130
0.146
e
2.30 BSC
0.0905 BSC
e1
4.60 BSC
0.181 BSC
H
6.71
7.29
0.264
0.287
L
0.91
-
0.036
-
L1
0.061 BSC
0.0024 BSC
θ
-
10'
-
10'
ECN: S-82109-Rev. A, 15-Sep-08
DWG: 5969
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRFL214TR 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL214TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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