參數(shù)資料
型號: IRFL214
廠商: VISHAY SILICONIX
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝: SOT-223, 4 PIN
文件頁數(shù): 6/9頁
文件大小: 925K
代理商: IRFL214
www.vishay.com
Document Number: 91194
6
S10-1257-Rev. C, 31-May-10
IRFL214, SiHFL214
Vishay Siliconix
Fig. 12a - Unclamped Inductive Test Circuit
Fig. 12b - Unclamped Inductive Waveforms
Fig. 12c - Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current
Fig. 13a - Basic Gate Charge Waveform
Fig. 13b - Gate Charge Test Circuit
R
g
IAS
0.01
Ω
tp
D.U.T.
L
V
DS
+
-
V
DD
10 V
Vary tp to obtain
required IAS
IAS
VDS
VDD
VDS
tp
Q
GS
Q
GD
Q
G
VG
Charge
V
GS
D.U.T.
3 mA
V
GS
V
DS
I
G
I
D
0.3 F
0.2 F
50 k
Ω
12 V
Current regulator
Current sampling resistors
Same type as D.U.T.
+
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFM014AD84Z 2.8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRFP054PBF 70 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
IRFP140 31 A, 100 V, 0.077 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC
IRFP152 34 A, 100 V, 0.08 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
IRFR110TRR 4.3 A, 100 V, 0.54 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFL214PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL214TR 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL214TRPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFL218 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFL30N20D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-262