參數資料
型號: IRFIB41N15D
廠商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件頁數: 6/12頁
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代理商: IRFIB41N15D
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
1200
Starting T , Junction Temperature( C)
E
ID
10A
21A
25A
TOP
BOTTOM
相關PDF資料
PDF描述
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開關模式電源MOS場效應管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開關模式電源MOS場效應管)
IRFIBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
相關代理商/技術參數
參數描述
IRFIB41N15DPBF 功能描述:MOSFET 150V SINGLE N-CH 45mOhms 72nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB5N50L 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFIB5N50LPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFIB5N65 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB5N65A 功能描述:MOSFET N-Chan 650V 5.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube