參數(shù)資料
型號(hào)： IRFIB41N15D
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 268K
代理商： IRFIB41N15D
IRFB/IRFIB/IRFS/IRFSL41N15D
2
www.irf.com
S
D
G
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Min.
150
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.17
–––
–––
0.045
–––
5.5
–––
25
–––
250
–––
100
–––
-100
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
V/°C Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 25A
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
μA
V
DS
= 150V, V
GS
= 0V
V
DS
= 120V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
nA
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
V
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
gfs
Forward Transconductance
Q
g
Total Gate Charge
Q
gs
Gate-to-Source Charge
Q
gd
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
t
d(on)
Turn-On Delay Time
t
r
Rise Time
t
d(off)
Turn-Off Delay Time
t
f
Fall Time
C
iss
Input Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
Output Capacitance
C
oss
eff.
Effective Output Capacitance
Avalanche Characteristics
Parameter
E
AS
Single Pulse Avalanche Energy
I
AR
Avalanche Current
E
AR
Repetitive Avalanche Energy
Diode Characteristics
Parameter
I
S
Continuous Source Current
Min.
18
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
72
110
21
31
35
52
16
–––
63
–––
25
–––
14
–––
2520
–––
510
–––
110
–––
3090
–––
230
–––
250
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 25A
I
D
= 25A
V
DS
= 120V
V
GS
= 10V
V
DD
= 75V
I
D
= 25A
R
G
= 2.5
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 120V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 120V
S
nC
ns
pF
Typ.
–––
–––
–––
Max.
470
25
20
Units
mJ
A
mJ
Min.
–––
Typ. Max. Units
–––
41
Conditions
MOSFET symbol
(Body Diode)
Pulsed Source Current
A
showing the
integral reverse
I
SM
–––
–––
164
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Forward Turn-On Time
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 25A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 25A
di/dt = 100A/μs
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD)
–––
170
1.3
1.3
260
1.9
V
ns
μC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFIB5N50L MOTOR Control Application
IRFIB5N65A N Channel SMPS MOSFET(N溝道開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFIB5N65 Power MOSFET(Vdss=650V, Rds(on)max=0.93ohm, Id=5.1A)
IRFIB7N50A SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFIBC20 Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=1.7A)
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參數(shù)描述
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