參數(shù)資料
型號： IRFI630G
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.40ohm, Id=5.9A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 200V的電壓，的Rds（on）\u003d 0.40ohm，身份證\u003d 5.9A）
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 648K
代理商： IRFI630G
Rev. C, December 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Charge
V
GS
10V
Q
g
Q
gs
Q
gd
3mA
V
GS
DUT
V
DS
300nF
50K
Ω
200nF
12V
as DUT
Same Type
V
GS
V
DS
10%
90%
t
d(on)
t
r
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
V
DD
10V
V
DS
R
L
DUT
R
G
V
GS
E
AS
=
LI
AS2
-1
2
BV
DSS
- V
DD
BV
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
p
V
DD
I
AS
V
DS
(t)
I
D
(t)
Time
10V
DUT
R
G
L
I
D
t
p
-1
----
--------------------
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
相關PDF資料
PDF描述
IRFI630 200V N-Channel MOSFET
IRFW630B 200V N-Channel MOSFET
IRFI630B 200V N-Channel MOSFET
IRFW634B 250V N-Channel MOSFET
IRFI634 250V N-Channel MOSFET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFI634A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 8.1A I(D) | TO-262AA
IRFI634B 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRFI634BTU_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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