參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI1310N
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： IRFI1310N
IRFI1310N
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
25
50
75
100
125
150
175
0
200
400
600
800
1000
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
A
ID
9.0A
16A
22A
TOP
BOTTOM
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI3205 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFI360 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=25A)
IRFI3710 100V,32A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(100V,32A,N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFI460 TRANSISTOR N-CHANNEL(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=21A)
IRFI5210 -100V,-23A,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-100V,-23A,P溝道HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IRFI1404 制造商:International Rectifier 功能描述:Electronic Component
IRFI260 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 45A 3PIN TO-259AA - Bulk
IRFI2807 功能描述:MOSFET N-CH 75V 40A TO220FP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFI3205 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK
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