參數(shù)資料
型號(hào)： IRFI1310N
廠商： International Rectifier
英文描述： N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： N溝道HEXFET功率MOSFET的（不適用溝道的HEXFET功率馬鞍山場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 104K
代理商： IRFI1310N
IRFI1310N
Parameter
Min. Typ. Max. Units
100
–––
–––
0.11
–––
––– 0.036
2.0
–––
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
11
–––
56
–––
45
–––
40
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 13A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 22A
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
I
D
= 22A
V
DS
= 80V
V
GS
= 10V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 50V
I
D
= 22A
R
G
= 3.6
R
D
= 2.9
,
See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
= 1.0MHz
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
g
fs
Forward Transconductance
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
S
4.0
–––
25
250
100
-100
120
15
58
–––
–––
–––
–––
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
C
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Drain to Sink Capacitance
–––
–––
–––
–––
1900
450
230
12
–––
–––
–––
–––
nH
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
L
D
Internal Drain Inductance
L
S
Internal Source Inductance
–––
–––
S
D
G
I
GSS
ns
4.5
7.5
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
pF
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Starting T
J
= 25°C, L = 1.0mH
R
G
= 25
, I
AS
= 22A. (See Figure 12)
t=60s, =60Hz
I
SD
≤
22A, di/dt
≤
180A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Uses IRF1310N data and test conditions
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 13A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 22A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
180
1.2
1.3
270
1.8
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
24
140
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFI3205 N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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IRFI3205 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 64A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pack 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N FULLPAK
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