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參數(shù)資料
| 型號： | IRFD014 |
| 廠商： | VISHAY SILICONIX |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 1.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | HVMDIP-4 |
| 文件頁數(shù)： | 4/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 2019K |
| 代理商： | IRFD014 |
www.vishay.com
Document Number: 91125
4
S10-2466-Rev. C, 25-Oct-10
IRFD014, SiHFD014
Vishay Siliconix
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage
Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
TA = 25 °C
TJ = 175 °C
SINGLE PULSE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFD211 | 600 mA, 150 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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| IRFL214 | 790 mA, 250 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| IRFM014AD84Z | 2.8 A, 60 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| IRFP054PBF | 70 A, 60 V, 0.014 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFD014_10 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRFD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD015 | 制造商:INT 功能描述:IRFD010 IR |
| IRFD020 | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRFD020PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 50V 2.4 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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