- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360935 > IRFBL10N60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRFBL10N60A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-263VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 600V的五（巴西）直| 11A條（丁）|對263VAR |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 115K |
| 代理商： | IRFBL10N60A |
IRFBL10N60A
www.irf.com
7
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
*
V
GS
= 5V for Logic Level Devices
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
R
G
V
DD
dv/dt controlled by R
G
Driver same type as D.U.T.
I
SD
controlled by Duty Factor "D"
D.U.T. - Device Under Test
D.U.T
Circuit Layout Considerations
Low Stray Inductance
Ground Plane
Low Leakage Inductance
Current Transformer
*
Fig 14.
For N-Channel HEXFET
Power MOSFETs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFBL12N50A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-263AA |
| IRFBL17N50L | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| IRFBL18N50K | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRFC044 | |
| IRFC1404 | |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRFBL12N50A | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRFBL17N50L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-263AB |
| IRFBL18N50K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 18A I(D) | TO-263AB |
| IRFBL3703 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Synchronous Rectification in High Power High Frequency DC/DC Converters |
| IRFC014B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
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