日韩无码精品三级无码,成年人毛片视频,国产成人91激情在线播放

相關(guān)PDF資料	PDF描述
IRFBF20STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 1.7A I(D) \| TO-263AB
IRFBL10N60A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-263VAR
IRFBL12N50A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-263AA
IRFBL17N50L	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 17A I(D) \| TO-263AB
IRFBL18N50K	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 18A I(D) \| TO-263AB

相關(guān)PDF資料

PDF描述

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
IRFBC40LCL	功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBC40LCPBF	功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC40LCS	功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBC40LCSPBF	功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC40LCSTRL	功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)

參數(shù)描述

IRFBC40LCL

功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-262 RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRFBC40LCPBF

功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRFBC40LCS

功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件

IRFBC40LCSPBF

IRFBC40LCSTRL

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

*型號	*數(shù)量	廠商	批號	封裝

添加更多采購

型號：	IRFBC40LC
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 43A I(D) \| TO-220VAR
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 55V的五（巴西）直\|第43A條（?。﹟對220VAR
文件頁數(shù)：	6/10頁
文件大?。?/td>	391K
代理商：	IRFBC40LC

采購需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

我的聯(lián)系方式

采購需求

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

我的聯(lián)系方式

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價