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IRFBC40ASTRR	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6.2A I(D) \| TO-263AB
IRFBC40LC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 43A I(D) \| TO-220VAR
IRFBF20STRL	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 900V V(BR)DSS \| 1.7A I(D) \| TO-263AB
IRFBL10N60A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 11A I(D) \| TO-263VAR
IRFBL12N50A	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 13A I(D) \| TO-263AA

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IRFBC40ASTRLPBF	功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC40ASTRR	功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRFBC40ASTRRPBF	功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC40L	功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFBC40LC	功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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IRFBC40ASTRLPBF

功能描述:MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRFBC40ASTRR

功能描述:MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK RoHS:否類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件

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型號：	IRFBC40ASTRL
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 600V V(BR)DSS \| 6.2A I(D) \| TO-263AB
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\| N溝道\| 600V的五（巴西）直\| 6.2AI（四）\|對263AB
文件頁數(shù)：	6/10頁
文件大?。?/td>	391K
代理商：	IRFBC40ASTRL

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