參數(shù)資料
型號： IRFBA35N60C
廠商： International Rectifier
英文描述： SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應管)
中文描述： MOSFET的開關(guān)電源（開關(guān)模式電源馬鞍山場效應管）
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 48K
代理商： IRFBA35N60C
IRFBA35N60C
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
2
www.irf.com
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
TBD
21
25
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Avalanche Characteristics
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 21A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 21A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
550
12
1.5
820
18
V
ns
μC
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
Diode Characteristics
35
140
A
Parameter
Min. Typ. Max. Units
600
–––
–––
0.54
–––
––– 0.080
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 21A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 600V, V
GS
= 0V
V
DS
= 480V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
–––
V
V/°C
V
6.0
100
500
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
0.5
–––
Max.
0.50
–––
58
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
Parameter
Min. Typ. Max. Units
16
–––
–––
––– 280 I
D
= 21A
–––
–––
59
–––
–––
140
–––
28
–––
–––
89
–––
–––
62
–––
–––
33
–––
–––
6170 –––
–––
3030 –––
–––
160
–––
––– 14310 –––
–––
132
–––
–––
216
–––
Conditions
V
DS
= 50V, I
D
= 21A
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
S
nC
V
DS
= 360V
V
GS
= 10V
V
DD
= 300V
I
D
= 21A
R
G
= 1.3
R
D
= 14
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 480V, = 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 480V
pF
ns
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