參數(shù)資料
型號： IRFB42N20D
廠商： International Rectifier
元件分類： DC/DC變換器
英文描述： High frequency DC-DC converters
中文描述： 高頻率DC - DC轉(zhuǎn)換器
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 67K
代理商： IRFB42N20D
IRFB/IRFS/IRFSL42N20D
Static @ T
J
= 25
°
C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
V
GS(th)
Gate Threshold Voltage
2
www.irf.com
PROVISIONAL
Parameter
Min. Typ. Max. Units
TBD
–––
–––
103
–––
26
–––
48
–––
TBD
–––
TBD
–––
TBD
–––
TBD
–––
3470
–––
–––
560
–––
120
–––
TBD
–––
TBD
–––
TBD
Conditions
V
DS
= 25V, I
D
= 25.5A
I
D
= 25.5A
V
DS
= 160V
V
GS
= 10V
V
DD
= 100V
I
D
= 25.5A
R
G
= TBD
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V,
= 1.0MHz
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V to 160V
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
C
oss
C
oss
C
oss
eff.
Avalanche Characteristics
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
Output Capacitance
Effective Output Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
S
nC
–––
–––
–––
–––
–––
pF
Dynamic @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
ns
Parameter
Typ.
–––
–––
–––
Max.
TBD
25.5
30
Units
mJ
A
mJ
E
AS
I
AR
E
AR
Thermal Resistance
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= 25.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= 25.5A
di/dt = 100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
–––
TBD TBD
2.4
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
1.3
V
ns
μC
3.6
Diode Characteristics
42.6
170
A
Min. Typ. Max. Units
200
–––
–––
TBD
–––
–––
0.055
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25
°
C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 25.5A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V, T
J
= 150
°
C
V
GS
= 30V
V
GS
= -30V
–––
–––
V
V/
°
C
V
5.5
25
250
100
-100
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
nA
I
GSS
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
0.5
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
°
C/W
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFS42N20D High frequency DC-DC converters
IRFSL42N20D High frequency DC-DC converters
IRFB9N30A N-Channel HEXFET Power MOSFET(N溝道 HEXFET 功率MOS場效應(yīng)管)
IRFBA31N50L SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
IRFBA34N50C SMPS MOSFET(開關(guān)模式電源MOS場效應(yīng)管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRFB42N20DPBF 功能描述:MOSFET 200V SINGLE N-CH 55mOhms 91nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4310 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRFB4310GPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRFB4310HR 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 140A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRFB4310PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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