參數(shù)資料
型號(hào)： IRFAE30
廠商： International Rectifier
英文描述： REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
中文描述： 重復(fù)性雪崩和DV /受好評(píng)的HEXFET三極管通孔（TO-204AA/AE DT）的
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
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代理商： IRFAE30
IRFAE30
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
10V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRFAE50 HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFB260 Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
IRFB260N Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.040ohm, Id=56A)
IRFB41N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
IRFS41N15D Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.045ohm, Id=41A)
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