參數(shù)資料
型號(hào)： IRF9Z34S
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.14ohm, Id=-18A)
中文描述： 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d- 60V的，的Rds（on）\u003d 0.14ohm，身份證\u003d- 18A條）
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大小： 334K
代理商： IRF9Z34S
IRF9Z34S/L
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF9Z34NL Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
IRF9Z34NS Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.10ohm, Id=-19A)
IRF9Z34N P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRFAC30 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
IRFAE30 REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-204AA/AE)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF9Z34SPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z34STRL 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z34STRLPBF 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF9Z34STRLPBF VIS 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
IRF9Z34STRR 功能描述:MOSFET P-Chan 60V 18 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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