參數(shù)資料
型號： IRF9Z34N
廠商： International Rectifier
英文描述： P-Channel HEXFET Power MOSFET(P溝道 HEXFET 功率MOS場效應管)
中文描述： P溝道HEXFET功率MOSFET的性（P溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應管）
文件頁數(shù)： 4/8頁
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代理商： IRF9Z34N
IRF9Z34N
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
G
A
-
Q , Total Gate Charge (nC)
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = -10A
V = -44V
V = -28V
0.1
1
10
100
0.2
0.4
-V , Source-to-Drain Voltage (V)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
T = 25°C
V = 0V
S
A
-
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10ms
A
-
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
10μs
100μs
1ms
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
0
200
400
600
800
1000
1200
1
10
100
C
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRF9Z34NPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -55V -17A 100mOhm 23.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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