參數(shù)資料
型號(hào)： IRF822FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
中文描述： N通道增強(qiáng)型功率MOSTRANSISTORS
文件頁數(shù)： 9/10頁
文件大?。?/td> 168K
代理商： IRF822FI
IRF820AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
Package Outline
TO-262
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF82FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF830ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
IRF830ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
IRF830FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF831FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF822R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF823 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF823R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF8252PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8252TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 25A 2.7mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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