參數(shù)資料
型號(hào)： IRF822FI
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
中文描述： N通道增強(qiáng)型功率MOSTRANSISTORS
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 168K
代理商： IRF822FI
IRF820AS/L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
4.5V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
15V
7.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.01
0.1
1
10
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
2.5A
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF82FI N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS
IRF830ASTRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
IRF830ASTRR TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-263AB
IRF830FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
IRF831FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220VAR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF822R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF823 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF823R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF8252PBF 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF8252TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 25A 2.7mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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