參數(shù)資料
型號(hào): IRF820
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: N-CHANNEL POWER MOSFETS
中文描述: N溝道功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
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代理商: IRF820
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PDF描述
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IRF820 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET
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參數(shù)描述
IRF820_R4943 功能描述:MOSFET TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF820-220 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-220FP 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-251 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET
IRF820-252 制造商:SUNTAC 制造商全稱:SUNTAC 功能描述:POWER MOSFET