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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF823 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 157K |
| 代理商： | IRF823 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF421 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF422 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF423 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
| IRF820 | 2.5A, 500V, 3.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRF423 | 2.2A and 2.5A, 450V and 500V, 3.0 and 4.0 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF823R | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
| IRF8252PBF | 功能描述:MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.7mOhms 35nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF8252TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 25V 25A 2.7mOhm 35nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF82FI | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱(chēng):STMicroelectronics 功能描述:N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSTRANSISTORS |
| IRF830 | 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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