參數(shù)資料
型號： IRF7755
廠商： International Rectifier
英文描述： -20V,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-20V,P溝道 HEXFET功率MOS場效應(yīng)管)
中文描述： - 20V的P通道HEXFET功率MOSFET（- 20V的，P溝道的HEXFET功率馬鞍山場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 6/8頁
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代理商： IRF7755
IRF7755
6
www.irf.com
Fig 13.
Typical On-Resistance Vs.
Drain Current
Fig 12.
Typical On-Resistance Vs.
Gate Voltage
Fig 14b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 14a.
Basic Gate Charge Waveform
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
10 V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
-VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.000
0.040
0.080
0.120
0.160
RD
)
ID = -3.7A
0
5
10
15
-ID , Drain Current ( A )
0.000
0.050
0.100
0.150
0.200
RD
VGS = -2.5V
VGS = -4.5V
D.U.T.
V
DS
+
I
D
I
G
-3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
-
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PDF描述
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參數(shù)描述
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