參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7754
廠商： International Rectifier
英文描述： Power MOSFET(Vdss=-12V)
中文描述： 功率MOSFET（12V的減振鋼板基本\u003d-）
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 144K
代理商： IRF7754
IRF7754
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25
°
C, I
S
= -1.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25
°
C, I
F
= -1.0A
di/dt = -100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
39
27
-1.2
59
41
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
–––
–––
–––
–––
-22
-1.0
A
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
V
(BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Notes:
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec.
S
D
G
Min. Typ. Max. Units
-12
–––
–––
0.008
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
-0.4
–––
16
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
22
–––
3.9
–––
4.8
–––
9.8
–––
18
–––
267
–––
191
–––
1984
–––
–––
618
–––
385
Conditions
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25
°
C, I
D
= -1mA
V
GS
= -4.5V, I
D
= -5.4A
V
GS
= -2.5V, I
D
= -4.6A
V
GS
= -1.8V, I
D
= -3.9A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -10V, I
D
= -5.4A
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V, T
J
= 70
°
C
V
GS
= -8V
V
GS
= 8V
I
D
= -5.4A
V
DS
= -6V
V
GS
= -4.5V
V
DD
= -6V, V
GS
= -4.5V
I
D
= -1.0A
R
D
= 6
R
G
= 6
V
GS
= 0V
V
DS
= -6V
= 1.0MHz
V/
°
C
25
34
49
-0.9
–––
-1.0
-25
-100
100
–––
–––
–––
14.7
27
401
287
V
GS(th)
g
fs
I
DSS
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
I
GSS
μA
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7755 -20V,P-Channel HEXFET Power MOSFET(-20V,P溝道 HEXFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF7757 Power MOSFET(Vdss=20V)
IRF7910 HEXFET Power MOSFET
IRF840A SMPS MOSFET(開(kāi)關(guān)模式電源MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
IRF840S Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7754GPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET? Power MOSFET Ultra Low On-Resistance
IRF7754GTRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7754PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
IRF7754TR 功能描述:MOSFET 2P-CH 12V 5.5A 8-TSSOP RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
IRF7754TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*