參數(shù)資料
型號： IRF750
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為400V，導(dǎo)通電阻為0.3Ω，漏電流為15A）)
中文描述： 15 A, 400 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 243K
代理商： IRF750
IRF750
BV
DSS
= 400 V
R
DS(on)
= 0.3
I
D
= 15 A
400
15
9.5
60
±
30
1157
15
15.6
4.0
156
1.25
- 55 to +150
300
0.8
--
62.5
--
0.5
--
Avalanche Rugged Technology
Rugged Gate Oxide Technology
Lower Input Capacitance
Improved Gate Charge
Extended Safe Operating Area
Lower Leakage Current: 10
μ
A (Max.) @ V
DS
= 400V
Low R
DS(ON)
: 0.254
(Typ.)
$GYDQFHG 3RZHU 026)(7
Thermal Resistance
Junction-to-Case
Case-to-Sink
Junction-to-Ambient
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
°
C/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
C
=25
°
C)
Continuous Drain Current (T
C
=100
°
C)
Drain Current-Pulsed
(1)
Gate-to-Source Voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
(2)
Avalanche Current
(1)
Repetitive Avalanche Energy
(1)
Peak Diode Recovery dv/dt
(3)
Total Power Dissipation (T
C
=25
°
C)
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8 from case for 5-seconds
Characteristic
Value
Units
V
Symbol
V
DSS
I
DM
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv/dt
I
D
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/
°
C
A
°
C
TO-220
1.Gate 2. Drain 3. Source
3
2
1
1999 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF820A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為3.0Ω，漏電流為2.5A）)
IRF820S N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為3.0Ω，漏電流為2.5A）)
IRF840S N-Channel Power MOSFET(N溝道增強型功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓為500V，導(dǎo)通電阻為0.85Ω，漏電流為8A）)
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