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參數(shù)資料
| 型號： | IRF9521 |
| 廠商： | Supertex, Inc. |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| 中文描述： | P通道增強(qiáng)型立式DMOS功率場效應(yīng)管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 73K |
| 代理商： | IRF9521 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF9522 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9523 | P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
| IRFD120 | 1.3A and 1.1A, 80V and 100V, 0.30 and 0.40 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
| IRFD120 | 1.3A, 100V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF9522 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF9523 | 制造商:SUPERTEX 制造商全稱:SUPERTEX 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS Power FETs |
| IRF9530 | 功能描述:MOSFET -100V Single P-Channel HEXFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530_R4941 | 功能描述:MOSFET TO-220AB P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF9530-220M | 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:P-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS |
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