參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7413Z
廠商： International Rectifier
元件分類： MOSFETs
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 6/10頁(yè)
文件大小： 210K
代理商： IRF7413Z
IRF7413Z
www.irf.com
5
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Ambient Temperature
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ , Temperature ( °C )
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
G
S
(t
h
)
G
a
te
th
re
s
h
o
ld
V
o
lt
a
g
e
(V
)
ID = 250A
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T
h
e
rm
a
l
R
e
s
p
o
n
s
e
(
Z
th
J
A
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty factor D =
t / t
2. Peak T
= P
x Z
+ T
1
2
J
DM
thJA
A
P
t
DM
1
2
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
τ
2
τ
2
τ
3
τ
3
R
1
R
1
R
2
R
2
R
3
R
3
Ci
i
/Ri
Ci=
τi/Ri
τ
C
τ
4
τ
4
R
4
R
4
Ri (°C/W)
τi (sec)
1.8556
0.000337
2.4927
0.012752
25.570
0.691000
20.340
21.90000
25
50
75
100
125
150
TA , Ambient Temperature (°C)
0
2
4
6
8
10
12
14
I D
,
D
ra
in
C
u
rr
e
n
t
(A
)
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