參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7413Z
廠商： International Rectifier
元件分類： MOSFETs
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 210K
代理商： IRF7413Z
IRF7413Z
4
www.irf.com
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5. Typical Capacitance vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
100
1000
10000
C
,
C
a
p
a
c
it
a
n
c
e
(p
F
)
VGS = 0V,
f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, C ds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Coss
Crss
Ciss
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
0.10
1.00
10.00
100.00
1000.00
I S
D
,
R
e
v
e
rs
e
D
ra
in
C
u
rr
e
n
t
(A
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VGS = 0V
0
1
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
I D
,
D
ra
in
-t
o
-S
o
u
rc
e
C
u
rr
e
n
t
(A
)
1msec
10msec
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY RDS(on)
100sec
TA = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
048
12
16
QG Total Gate Charge (nC)
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
12.0
V
G
S
,
G
a
te
-t
o
-S
o
u
rc
e
V
o
lt
a
g
e
(V
)
VDS= 24V
VDS= 15V
ID= 10A
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