參數(shù)資料
型號: IRF740CHIP
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | CHIP
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五(巴西)直| 10A條(?。﹟芯片
文件頁數(shù): 4/10頁
文件大小: 149K
代理商: IRF740CHIP
IRF7343
0
10
ID
20
30
40
0.040
0.060
0.080
0.100
0.120
R
D
VGS = 10V
VGS = 4.5V
Fig 5.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 8.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 6.
Typical On-Resistance Vs. Drain
Current
Fig 7.
Typical On-Resistance Vs. Gate
Voltage
N-Channel
)
R
D
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
V
=
I
=
GS
D
10V
4.7A
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
Starting T , Junction Temperature
( C)
E
A
ID
2.1A
3.8A
4.7A
TOP
BOTTOM
0.030
0.050
0.070
0.090
0.110
0.130
2
4
6
8
10
12
A
-V , Gate-to-Source Voltage (V)
I = 4.7 A
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PDF描述
IRF740D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
IRF740FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 5.5A I(D) | TO-220VAR
IRF740LC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
IRF7420 -12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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參數(shù)描述
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IRF740L 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 10 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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