參數(shù)資料
型號： IRF740CHIP
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | CHIP
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 10A條（?。﹟芯片
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 149K
代理商： IRF740CHIP
IRF7343
1
10
100
3
4
5
6
VDS
20μs PULSE WIDTH
V , Gate-to-Source Voltage (V)
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
°
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
N-Channel
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 25 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
4.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
1
10
100
0.1
1
10
100
20μs PULSE WIDTH
T = 150 C
°
TOP
BOTTOM
VGS
15V
6.0V
3.0V
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
3.0V
4.5V
4.5V
0.1
1
10
100
0.2
0.5
0.8
1.1
1.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 150 C
°
T = 25 C
°
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PDF描述
IRF740D TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
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IRF740LC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-220AB
IRF7420 -12V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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