參數(shù)資料
型號： IRF734
英文描述： 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
中文描述： 450V單N溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大?。?/td> 184K
代理商： IRF734
IRF730AS/L
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
10 V
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
Fig 12d.
Typical Drain-to-Source Voltage
Vs. Avalanche Current
25
50
75
100
125
150
0
100
200
300
400
500
600
700
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
BOTTOM
ID
2.5A
3.5A
5.5A
TOP
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
IAV , Avalanche Current ( A)
540
550
560
570
580
590
600
610
VD
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7341Q 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRF734S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB
IRF730 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
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參數(shù)描述
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IRF7341Q 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET
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