參數(shù)資料
型號(hào)： IRF734
英文描述： 450V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
中文描述： 450V單N溝道HEXFET功率MOSFET的在采用TO - 220AB封裝
文件頁(yè)數(shù)： 3/10頁(yè)
文件大?。?/td> 184K
代理商： IRF734
IRF730AS/L
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 150 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
0.1
1
10
100
4.0
5.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
20μs PULSE WIDTH
V = 50V
DS
I
D
T = 25 C
°
T = 150 C
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T , Junction Temperature ( C)
R
(
D
I =
V
=
GS
10V
5.5
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
T = 25 C
20μs PULSE WIDTH
TOP
BOTTOM
VGS
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
4.5V
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PDF描述
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