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IRF7342D2	-55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
IRF734S	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 4.9A I(D) \| TO-220AB
IRF730	PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF730	BEAD,FERRITE,1000 OHMS,+/-25%,100MA,0603
IRF730A	SMPS MOSFET

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IRF7342D2

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IRF730

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IRF7341QTRPBF	功能描述:MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7341TR	制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
IRF7341TRPBF	功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7341TRPBF-CUT TAPE	制造商:IR 功能描述:Dual N-Channel 55 V 2 W 24 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
IRF7342	功能描述:MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC RoHS:否類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列系列:HEXFET® 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR

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IRF7341QTRPBF

功能描述:MOSFET RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

IRF7341TR

制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R

IRF7341TRPBF

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IRF7341TRPBF-CUT TAPE

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IRF7342

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型號：	IRF7341QTR
英文描述：	TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 55V V(BR)DSS \| 5.1A I(D) \| SO
中文描述：	晶體管\| MOSFET的\|配對\| N溝道\| 55V的五（巴西）直\| 5.1AI（四）\|蘇
文件頁數(shù)：	9/10頁
文件大?。?/td>	184K
代理商：	IRF7341QTR

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