參數資料
型號： IRF7341Q
英文描述： 55V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
中文描述： 55V的雙N溝道HEXFET功率MOSFET的SO - 8封裝
文件頁數： 9/10頁
文件大小： 184K
代理商： IRF7341Q
IRF730AS/L
www.irf.com
9
TO-262
Part Marking Information
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相關PDF資料
PDF描述
IRF7341QTR TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 5.1A I(D) | SO
IRF7342D2 -55V FETKY - MOSFET and Schottky Diode in a SO-8 package
IRF734S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | TO-220AB
IRF730 PowerMOS transistor Avalanche energy rated
IRF730 BEAD,FERRITE,1000 OHMS,+/-25%,100MA,0603
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF7341QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7341QTR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
IRF7341QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7341TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
IRF7341TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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