參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7331PbF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大?。?/td> 129K
代理商： IRF7331PBF
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 2.0A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 2.0A
di/dt = 100A/μs
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
31
15
1.2
47
23
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
28
2.0
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
Surface mounted on 1 in square Cu board
Parameter
Min. Typ. Max. Units
20
–––
––– 0.013 –––
–––
–––
–––
–––
0.6
–––
14
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
13
–––
3.7
–––
2.1
–––
7.6
–––
22
–––
110
–––
50
––– 1340
–––
170
–––
120
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 4.5V, I
D
= 7.0A
V
GS
= 2.5V, I
D
= 5.6A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 10V, I
D
= 7.0A
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= 12V
V
GS
= -12V
I
D
= 7.0A
V
DS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
DD
= 10V
I
D
= 1.0A
R
G
= 53
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 0V
V
DS
= 16V
= 1.0MHz
V/°C
30
45
1.2
–––
1.0
25
100
-100
20
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
m
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
S
D
G
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7335D1 Dual FETKY CO-PACKAGED DUAL MOSFET PLUS SCHOTTKY DIODE
IRF7338 HEXFET Power MOSFET
IRF7341 HEXFET Power MOSFET
IRF7342D2PBF FETKY MOSFET & Schottky Diode
IRF7342PBF HEXFET㈢ Power MOSFET (VDSS = -55V , RDS(on) = 0.105ヘ)
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IRF7331TRPBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
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