參數(shù)資料
型號： IRF7303PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的RDS（on）\u003d 0.050ヘ）
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： IRF7303PBF
P.W.
Period
di/dt
Diode Recovery
dv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Voltage
Reverse
Recovery
Current
Body Diode Forward
Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
+
-
+
+
+
-
-
-
/(0(
1
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/
-)70/
-20#J
J+-J
700'@@
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%"0
*
%"%.&
;2
1
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PDF描述
IRF7304PBF HEXFET Power MOSFET
IRF730ALPBF HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
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IRF730ASPBF HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASL SMPS MOSFET
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參數(shù)描述
IRF7303PBFCT-ND 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7303QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7303QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSET
IRF7303QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7303TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Dual N-Channel 30 V 2 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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