參數(shù)資料
型號(hào)： IRF7303PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050ヘ )
中文描述： HEXFET功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的RDS（on）\u003d 0.050ヘ）
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
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代理商： IRF7303PBF
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0
200
400
600
800
1000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
4
8
12
16
20
0
5
Q , Total Gate Charge (nC)
10
15
20
25
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 12
I = 2.4A
V = 24V
0.1
1
10
100
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
T = 25°C
T = 150°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
1
10
100
0.1
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25°
J
A
V , Drain-to-Source Voltage (V)
D
I
100us
1ms
10ms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7304PBF HEXFET Power MOSFET
IRF730ALPBF HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASLPBF HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASPBF HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASL SMPS MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7303PBFCT-ND 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRF7303QPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7303QPBF_10 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSET
IRF7303QTRPBF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF7303TR 制造商:International Rectifier 功能描述:Dual N-Channel 30 V 2 W 25 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
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