參數(shù)資料
型號： IRF7241PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET
中文描述： HEXFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 1/9頁
文件大小： 181K
代理商： IRF7241PBF
Parameter
Max.
-40
-6.2
-4.9
-25
2.5
1.6
20
± 20
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain- Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Junction and Storage Temperature Range
A
mW/°C
V
°C
V
GS
T
J,
T
STG
-55 to + 150
10/6/04
www.irf.com
1
IRF7241PbF
HEXFET Power MOSFET
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
G
S
A
D
S
S
V
DSS
-40V
R
DS(on)
max (m
41@V
GS
= -10V
70@V
GS
= -4.5V
I
D
-6.2A
-5.0A
SO-8
Symbol
R
θ
JL
R
θ
JA
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
°C/W
Thermal Resistance
New trench HEXFET
Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the
ruggedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in battery and load management applications.
Description
●
Trench Technology
●
Ultra Low On-Resistance
●
P-Channel MOSFET
●
Available in Tape & Reel
●
Lead-Free
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF7241 HEXFET Power MOSFET
IRF7304 Generation V Technology
IRF7306 HEXFET Power MOSFET
IRF7309 HEXFET Power MOSFET
IRF7313PBF HEXFET Power MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF7241TR 功能描述:MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
IRF7241TRHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-Pin SOIC T/R
IRF7241TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT PCh -40V -6.2A 41mOhm 53nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730 制造商:STMicroelectronics 功能描述:MOSFET N TO-220
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