參數(shù)資料
型號： IRF6668PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 635K
代理商： IRF6668PBF
4
www.irf.com
Fig 5.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Typical Output Characteristics
Fig 6.
Typical Transfer Characteristics
Fig 7.
Normalized On-Resistance vs. Temperature
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
TOP
BOTTOM
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
6.0V
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
6.0V
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
VGS
15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
TOP
BOTTOM
2
4
6
8
10
12
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0.1
1
10
100
1000
ID
TJ = 150°C
TJ = 25°C
TJ = -40°C
VDS = 10V
≤
60μs PULSE WIDTH
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
10000
C
VGS = 0V, f = 1 MHZ
Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED
Crss = Cgd
Coss = Cds + Cgd
Ciss
Coss
Crss
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
TD
ID = 12A
VGS = 10V
Fig 9.
Typical On-Resistance vs. Drain Current
0
20
40
60
80
100
ID, Drain Current (A)
0
10
20
30
40
50
60
TD
)
TJ = 25°C
Vgs = 7.0V
Vgs = 8.0V
Vgs = 10V
Vgs = 15V
Fig 8.
Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
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PDF描述
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參數(shù)描述
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