參數(shù)資料
型號： IRF6668PBF
廠商： International Rectifier
英文描述： DirectFET Power MOSFET
中文描述： DirectFET功率MOSFET
文件頁數(shù)： 2/9頁
文件大?。?/td> 635K
代理商： IRF6668PBF
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature.
Pulse width
≤
400μs; duty cycle
≤
2%.
Static @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
80
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
–––
22
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ.
–––
0.097
12
4.0
-11
–––
–––
–––
–––
–––
22
4.8
1.6
7.8
7.8
9.4
12
1.0
19
13
7.1
23
1320
310
76
Max. Units
–––
–––
15
4.9
–––
20
250
100
-100
–––
31
–––
–––
12
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
BV
DSS
Β
V
DSS
/
T
J
R
DS(on)
V
GS(th)
V
GS(th)
/
T
J
I
DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
V
V/°C
m
V
mV/°C
μA
I
GSS
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Gate Charge Overdrive
Switch Charge (Q
gs2
+ Q
gd
)
Output Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
nA
gfs
Q
g
S
Q
gs1
Q
gs2
Q
gd
Q
godr
Q
sw
Q
oss
R
G(Internal)
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
Diode Characteristics
nC
See Fig. 15
nC
ns
pF
Parameter
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Min.
–––
Typ.
–––
Max. Units
81
I
S
A
I
SM
–––
–––
170
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
34
40
1.3
51
60
V
ns
nC
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
R
G
= 6.2
See Fig. 16 & 17
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
V
DS
= 10V, I
D
= 12A
Conditions
= 1.0MHz
V
DS
= 16V, V
GS
= 0V
V
DD
= 40V, V
GS
= 10V
I
D
= 12A
V
DS
= 40V
V
GS
= 10V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100μA
V
DS
= 80V, V
GS
= 0V
V
DS
= 64V, V
GS
= 0V, T
J
= 125°C
V
GS
= 20V
V
GS
= -20V
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 12A
T
J
= 25°C, I
F
= 12A
di/dt = 100A/μs
See Fig. 18
T
J
= 25°C, I
S
= 12A, V
GS
= 0V
I
D
= 12A
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PDF描述
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IRF6714MTRPBF DirectFET㈢Power MOSFET
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參數(shù)描述
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IRF6668TRPBF 功能描述:MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 15mOhms 22nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF6674TR1PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 60V 67A 11.2mOhm 25nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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