參數(shù)資料
型號(hào)： IRF654
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： TUBING TEFLON .015 ID 100' CLR
中文描述： 21 A, 250 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大?。?/td> 867K
代理商： IRF654
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A, November 2001
I
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
100 ms
100
μ
s
1 ms
DC
10 ms
Operation in This Area
is Limited by R
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
25
50
75
100
125
150
0
4
8
12
16
20
24
I
D
,
T
C
, Case Temperature [
℃
]
10
0
10
1
10
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
μ
s
100
μ
s
1 ms
DC
10 ms
Operation in This Area
DS(on)
※
Notes :
1. T
C
= 25
2. T
= 150
3. Single Pulse
o
C
o
C
I
D
,
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
※
Notes :
1. V
= 10 V
2. I
D
= 12.5 A
R
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
-100
-50
0
50
100
150
200
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
※
Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. I
D
= 250
μ
A
B
D
,
D
T
J
, Junction Temperature [
o
C]
Typical Characteristics
(Continued)
Figure 9-1. Maximum Safe Operating Area
for IRF654B
Figure 10. Maximum Drain Current
vs Case Temperature
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs Temperature
Figure 9-2. Maximum Safe Operating Area
for IRFS654B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF654B 250V N-Channel MOSFET
IRFS654B 250V N-Channel MOSFET
IRFS720A N-Channel Power MOSFET（400V，1.8Ω，2.8A）(N溝道功率MOS場效應(yīng)管（漏源電壓400V，導(dǎo)通電阻1.8Ω，漏電流2.8A）)
IRFS730B 400V N-Channel MOSFET
IRFS740B 400V N-Channel MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF654A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220AB
IRF654B 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
IRF654B_FP001 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF654BFP001 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
IRF6601 功能描述:MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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