參數(shù)資料
型號(hào): IRF650B
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: 200V N-Channel MOSFET
中文描述: 28 A, 200 V, 0.085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 9/10頁(yè)
文件大小: 898K
代理商: IRF650B
Rev. A1, December 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
I
Package Dimensions
(Continued)
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
0.05
TO-220F
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRF710A N-Channel Power MOSFET(N溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管(漏源電壓為400V,導(dǎo)通電阻為3.6Ω,漏電流為2A))
IRF720B 400V N-Channel MOSFET
IRFS720 400V N-Channel MOSFET
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IRF721 N-Channel Power MOSFETs, 3.0 A, 350-400 V
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRF650B_FP001 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF654 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET
IRF654A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 21A I(D) | TO-220AB
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IRF654B_FP001 功能描述:MOSFET 250V N-Channel B-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube