參數資料
型號: IRF644NSTRRPBF
廠商: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類: JFETs
英文描述: 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3
文件頁數: 2/12頁
文件大小: 313K
代理商: IRF644NSTRRPBF
IRF644N/IRF644NS/IRF644NL
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OR
TO-262 Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TO-262 Part Marking Information
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
Document Number: 90069
www.vishay.com
10
相關PDF資料
PDF描述
IRF644PBF 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數描述
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IRF644S 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF644SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF644STRL 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF644STRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube