參數(shù)資料
型號(hào)： IRF644NPBF
廠商： VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
元件分類： JFETs
英文描述： 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： LEAD FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大小： 313K
代理商： IRF644NPBF
IRF644N/IRF644NS/IRF644NL
QG
QGS
QGD
VG
Charge
D.U.T.
VDS
ID
IG
3mA
VGS
.3
F
50K
.2
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
VGS
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V(BR)DSS
IAS
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
RG
IAS
0.01
tp
D.U.T
L
VDS
+
- VDD
DRIVER
A
15V
20V
25
50
75
100
125
150
175
0
60
120
180
240
300
Starting T , Junction Temperature ( C)
E
,S
ingle
P
uls
eA
valanc
he
E
ner
gy
(
m
J)
J
AS
°
ID
TOP
BOTTOM
3.4A
5.9A
8.4A
Document Number: 90069
www.vishay.com
6
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PDF描述
IRF644NSTRLPBF 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF644NSTRRPBF 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
IRF644PBF 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF644S 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
IRF740A 10 A, 400 V, 0.55 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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參數(shù)描述
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IRF644NSPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF644NSTRL 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF644NSTRLPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 14 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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