型號(hào): | IRF634N |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 8 A, 250 V, 0.435 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
文件頁數(shù): | 10/11頁 |
文件大?。?/td> | 301K |
代理商: | IRF634N |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF644NPBF | 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
IRF644NSTRLPBF | 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRF644NSTRRPBF | 14 A, 250 V, 0.24 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
IRF644PBF | 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
IRF644S | 14 A, 250 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRF634NL | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
IRF634NLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF634NPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF634NS | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IRF634NSPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |