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參數(shù)資料
| 型號： | IRF632 |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor Corporation |
| 英文描述： | N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| 中文描述： | N溝道功率MOSFET，第12A，150-200 V |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 177K |
| 代理商： | IRF632 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF633 | N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V |
| IRF230 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFET |
| IRF3103 | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRF341 | N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V |
| IRF340 | N-CHANNEL POWER MOSFETS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF632R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRF633 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| IRF633R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
| IRF634 | 功能描述:MOSFET N-Chan 250V 8.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF634A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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