參數資料
型號： IRF630NSTRR
廠商： International Rectifier
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-263AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 9.3AI（四）|對263AB
文件頁數： 5/11頁
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代理商： IRF630NSTRR
IRF630N/S/L
www.irf.com
5
R
D
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
90%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Duty Factor
≤ 0.1 %
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
25
50
175
0
3
6
9
12
T , Case Temperature (°
I
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
V
DS
10%
Pulse Width
≤ 1
μs
V
DD
25
50
75
100
125
150
175
0
3
6
9
12
T , Case Temperature ( C)
I
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
2. Peak T =P
Notes:
1. Duty factor D = t / t
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
(THERMAL RESPONSE)
SINGLE PULSE
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